MOSFET в Челябинске
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Модуль позволяет получить ШИМ до 36В. С помощью данного модуля и контроллера Arduino, можно управлять нагрузкой постоянного тока до 15 А. Управление осуществляется с помощью напряжения от 3.3 до 20...
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N...
Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N....
Мощный, n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях. Максимальное напряжение сток-исток: 600 В. Максимальный ток стока: 3,6 А. Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω....
Тестер LCR-TC1 конденсаторов, резисторов, диодов, индуктивностей и полупроводниковых элементов- автоматически тестирует выходные контакты элементов и отображает их на LCD экране. Измерение RLC и ESR. Встроенный литий-ионный аккумулятор 350 мА/ч. Заряд...
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3401 A19T транзистор (5 шт.) SOT23 SMD MOSFET аналог AO3407A схема SSM3J332R характеристики цоколевка datasheet Транзистор AO3401, (30В, 4.2A, 1.4Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
Микросхема N-MOSFET T0-252. Партномер P3055LDG
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Микросхема N-MOSFET SOP-8. Партномер AO4422
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление...
Категория: микросхемы. Микросхема N-MOSFET INFINEON IPD13N03LAG 13N03LA S-TD252
Микросхема N-MOSFET VISHAY SI4810BDY-T1-E3 SOP-8. Партномер SI4810BDY
Микросхема N-MOSFET TO-252. Партномер P75N02LDG
Микросхема N-MOSFET INFINEON S-TD252 13N03LA. Партномер IPD13N03LAG
Категория: микросхемы. Микросхема N-MOSFET INFINEON BSC042N03SG 42N03S SO8
Категория: микросхемы. Микросхема N-MOSFET INFINEON BSC059N03S P-TDS0N-8
В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с...
Многофункциональный тестер с графическим дисплеем TFT. Транзисторный тестер - Автоматическое определение биполярного транзистора NPN и PNP, N- и P- канала, MOSFET, JFET, диоды (в том числе двойные диоды), N- и...
Тестер LCR-TC1 конденсаторов, резисторов, диодов, индуктивностей и полупроводниковых элементов- автоматически тестирует выходные контакты элементов и отображает их на LCD экране. Измерение RLC и ESR. Встроенный литий-ионный аккумулятор 350 мА/ч. Заряд...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Модуль (драйвер) силового MOSFET- транзистора для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе. Отличие этого модуля от модуля реле в его высоком быстродействии и долговечности. Этот модуль...
Мосфет 4925N служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
Категория: микросхемы. Микросхема N-MOSFET INFINEON BSC042N03SG 42N03S SO8
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2307 A7SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог AO3407A схема MMBT4355 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В -30 Максимальный...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В...
Микросхема N-MOSFET INFINEON 42N03S SO8. Партномер BSC042N03SG
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
Модуль (драйвер) силового MOSFET- транзистора для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе. Отличие этого модуля от модуля реле в его высоком быстродействии и долговечности. Этот модуль...
N-chanell Q-FET MOSFET, Vds=650V, Id=7A, Pd=52W, Rds(on)=1,4 Ohm
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, Vds=40V,N-channel:Id=6A,Rds(on)=28 mOhm,P-channel;Id=5A,Rds(on)=42 mOhm,Pd=2W